Пластина K45 2-кратна RJ з похилою кришкою, для адаптерів MD, біла KB80/9

Пластина K45 2-кратна RJ з похилою кришкою для адаптерів MD

Пластина K45 2-кратна RJ з похилою кришкою була розроблена для зручного встановлення вкладишів у стандарті Simon Connect. Продукт вирізняється більшим форматом 45×45mm, що значно полегшує монтаж телеінформаційних елементів порівняно зі стандартними рішеннями.

Конструкція та високоякісні матеріали

Пластина виготовлена з безгалогенного пластику з матовим покриттям поверхні. Конструкція типу "подвійна похила з кришками" дозволяє монтувати дві одиниці в одному модулі, максимізуючи функціональність при збереженні компактних розмірів.

Глибина продукту становить 41.5mm при глибині вбудовування 16.5mm, що дозволяє встановлення навіть у місцях з обмеженим простором. Затискна система забезпечує швидкий монтаж як вертикальний, так і горизонтальний, адаптуючись до різних монтажних потреб.

Система підключення проводів

Система підключення проводів використовує ножові затискачі, які дозволяють підключати окремі жили без необхідності зняття ізоляції. Це значно прискорює процес встановлення та мінімізує ризик пошкодження проводів.

Токопровідні шляхи роз'ємів розміщені під кутом 45°, що дозволяє зручно встановлювати кутові штекери та забезпечує оптимальний радіус вигину проводів. Ця особливість є ключовою для збереження високих швидкостей передачі даних та стабільності з'єднань.

Продукт оснащений захисними кришками контактів та двома типами затискачів — гвинтовими та безгвинтовими, що дає гнучкість у виборі методу підключення проводів відповідно до вподобань монтажника.

Сумісність та експлуатаційні параметри

Пластина відповідає вимогам класу ETIM EC000018 Element (механізм/плакетка) комунікаційної техніки та забезпечує ступінь захисту IP20. Вона призначена спеціально для адаптерів MD, що гарантує повну сумісність із системами Simon Connect.

Продукт пропонує надійні з'єднання для мережевих, телефонних та інших комунікаційних пристроїв, забезпечуючи стабільну передачу даних завдяки оптимальній конструкції токопровідних шляхів.